测都测不对！何谈抑制 SiC MOSFET Crosstalk( 串扰 ) ？泰克TEKTRONIX提供解决方法

SiC MOSFET被使用在桥式电路时，电源工程师需要提起十二分精神来面对一个棘手的难题，一旦处理不好就有可能导致炸机，它就是 - Crosstalk（串扰）。Crosstalk 的基本原理用一句话概括就是：在半桥电路中，动作管开关动作产生的dV/dt 通过其对管 Crss（反向电容）产生位移电流并上拉或下拉原本为关断电平的对管驱动电压。

图1

图2

在图1中的半桥电路中，动作管为下管S1，施加在上管S2的为关断驱动信号，其体二极管处于续 流状态。当S1进行开通时，其端电压VDS1下降，则 S2 开始承受反向电压，其两端的电压VDS2 以dV/dt的速度快速上升。那么dV/dt 就会通过S2的Crss产生位移电流Irss=Crss*dV/dt，Irss 会流入S2 的驱动回路，对CGS充电，并在RG上产生压降。最终导致的结果就是S2 的驱动电压被向上拉起，出现一个正向的尖峰，如果超过S2 的Vth，则会导致误导通，轻则增加损耗，重则桥臂短路发生炸机。我们将这一过程称为正向Crosstalk。在图2中，S1依旧为动作管，只是这次它进行的是关断。此时整个过程与正向 Crosstalk 原理。

图3

图4

一样，只是电压和电流的变换方向相反，最终S2 的驱动电压被向下拽，出现一个反向的尖峰。我们都知道SiC MOSFET 栅极耐压能力很差，负向的尖峰会对其栅极造成损伤，影响 SiC MOSFET 的寿命或直接将其栅极击穿。我们将这一过程称为负向Crosstalk。其实无论是 Si MOSFET 还是 IGBT 都存在   Crosstalk 的问题， 并不是SiC MOSFET 特有的。 但是SiC MOSFET 开关速度更快、Vth 偏小（一   般在2.5V-4.5V） 、栅极耐压能力较弱，这就使   得 Crosstalk 对 SiC MOSFET 而言后果更加严重、处理起来更加困难。为了抑制Crosstalk，首先要做到的是测得准确的Crosstalk 波形。但由于以下两大原因，使得工程师往往获得是错误的波形， 常常导致一通操作猛如虎，实际效果两毛五。

原因一：寄生参数影响

在刚才讲解 Crosstalk 原理的时候，为了表达简洁，图1和图3中所给出的电路图是进行简化后的。当考虑很多存在的寄生参数后，我们得到图5中给出的等效电路。SiC MOSFET 芯 片上实际的驱动电压为VGS ，而我们使用电压探头获得的是VGS-M。两者的区别是VGS-M不光包含了VGS，还包含了SiC MOSFET 芯片栅极电阻RG(int) 上的压降 VRG 和寄生电感 L上的压降VL。导致这种情况发生的原因是电压探头无法直接接在SiC MOSFET 的芯片上，只能接在器件封装的引脚上，则RG(int) 和L都在测量点之间。

图5

图6

图7

通过仿真结果可以看到，通过电压探头测量得到的Crosstalk 波形都比实际发生的Crosstalk   偏低，这就是说，由于寄生参数的影响，Crosstalk的严重程度被低估了。这就会导致以下两种情况：一是通过测量结果判断Crosstalk在可接受范围内，然而实际已经发生误导通；二是工程师费了很大功夫，看似将Crosstalk 抑制住了，实际还差很远。由于 RG(int)和L无法避免，也就是这种测量误差无法被消除，那么电源工程师在使用 SiC MOSFET时就需要为Crosstalk留出足够的裕量。同时，测量结果与真实 Crosstalk 之间的差别会随着 RG(int)和L的增大而增大，这就启示我们可以选择 RG(int)的 SiC MOSFET，同时在进行测量时尽量将探头接在器件引脚的根部，这样就可以尽量缩小误差。

原因二：未使用合适的电压探头

在进行电源调试时，往往使用的是高压差分探头测量电压信号，其测量范围广、差分输入、高阻抗的特点深受电源工程是的喜爱。但在测量Crosstalk 波形时差分探头就不再适用了。 首 先 Crosstalk 的幅度范围在 ±10V以内，高压差分探头的衰减倍数大，这就导致测量误差大、噪声大。其次，高压差分探头前端的测量线很长，相当于一个天线，会接收到 SiC MOSFET 开关过程中快速变化的电流产生的干扰信号，从而影响测量结果。最后，高压差分探头前端的测量线可以看做是电感，容易使得测量结果中出现本不存在的震荡。

图8 泰克高压差分探头

从下边的实测结果中可以看到，使用高压差分探头测量得到的 Crosstalk 波形显得很粗，同时其震荡幅度很高，正向Crosstalk尖峰已经超过SiC MOSFET 的Vth（3.5V），然而此时并未发生误导通，说明这样的测试结果是有问题的，同时负向Crosstalk 尖峰也已经超过了SiC MOSFET 栅极耐压极限（-10V）。而当使用光隔离探头得到的Crosstalk

波形与使用高压差分探头的波形有着明显的区别，波形线条变细了，同时正向和负向Crosstalk 尖峰都在可接受范围之内。这主要得益于光隔离探头可以选择更小的衰减倍数，同时其探头前段与器件的连接可实现最小环路连接。

图9

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以上是测量下管Crosstalk 的波形，那么当我们需要测量上管Crosstalk 的时候，情况又会如何呢。从下边的实测波形可以看出，使用高压差分探头得到的波形更加离谱了，其震荡的幅度超过了正向10V 反向20V，而使用光隔离探头测得的波形依然在可接受范围之内，这主要得益于光隔离探头**的高频共模抑制比。由此可见，高压差分探头并不合适用于测量Crosstalk，得到错误的波形会对电路设计造成误导，浪费工程师的时间和精力。而选择光隔离探头可以获得准确的波形，无论是测量下管还是上管，都有非常优异的表现。

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